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Référence fabricant | SJPL-D2VR |
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Numéro de pièce future | FT-SJPL-D2VR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPL-D2VR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPL-D2VR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPL-D2VR-FT |
SB380EA-G
Comchip Technology
SB520E-G
Comchip Technology
SB540B-G
Comchip Technology
SB580E-G
Comchip Technology
SDM1M40LP8Q-7
Diodes Incorporated
SDT5A50SA-13
Diodes Incorporated
SFT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT11GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
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M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
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EP3SE260H780I3
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XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
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5SGXEA3H1F35C2N
Intel