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Référence fabricant | SJPB-H4 |
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Numéro de pièce future | FT-SJPB-H4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SJPB-H4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, J-Lead |
Package d'appareils du fournisseur | SJP |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SJPB-H4-FT |
R9G02012XX
Powerex Inc.
R9G02018XX
Powerex Inc.
R9G02022XX
Powerex Inc.
R9G02212XX
Powerex Inc.
R9G02412XX
Powerex Inc.
RAS00412XX
Powerex Inc.
RAXMGC0412XX
Powerex Inc.
RBK84040XXOO
Powerex Inc.
RBK84240XXOO
Powerex Inc.
RBK84440XXOO
Powerex Inc.
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel