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Référence fabricant | SISS04DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SISS04DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen IV |
SISS04DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4460pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8S |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS04DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SISS04DN-T1-GE3-FT |
SIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
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AT40K40AL-1BQI
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Xilinx Inc.
APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation