maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SISS04DN-T1-GE3
Référence fabricant | SISS04DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SISS04DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen IV |
SISS04DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 50.5A (Ta), 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4460pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8S |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS04DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SISS04DN-T1-GE3-FT |
SIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHP12N60E-GE3
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SIHP15N50E-GE3
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XC7A15T-2FTG256C
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XCKU035-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z1QNG48
Microsemi Corporation
M2GL025T-VFG400
Microsemi Corporation
EP3C5E144C7
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
AGL600V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6N
Intel
EP20K100EBI356-2X
Intel