maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SISH407DN-T1-GE3
Référence fabricant | SISH407DN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SISH407DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SISH407DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 15.4A (Ta), 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 15.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93.8nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2760pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8SH |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8SH |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISH407DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SISH407DN-T1-GE3-FT |
SI3442CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3445ADV-T1-E3
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Microsemi Corporation
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