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Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3

Name: SIS612EDNT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS612EDNT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.9 (97 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIS612EDNT-T1-GE3

quantité disponible: 38040 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIS612EDNT-T1-GE3.pdf

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SIS612EDNT-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIS612EDNT-T1-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIS612EDNT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SIS612EDNT-T1-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8S
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIS612EDNT-T1-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIS612EDNT-T1-GE3-FT

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