maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIS468DN-T1-GE3
Référence fabricant | SIS468DN-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIS468DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIS468DN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.7W (Ta), 52W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIS468DN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIS468DN-T1-GE3-FT |
SIHU5N50D-E3
Vishay Siliconix
SIHU3N50D-E3
Vishay Siliconix
IRFU210PBF
Vishay Siliconix
IRFU214PBF
Vishay Siliconix
IRFU220PBF
Vishay Siliconix
IRFU224PBF
Vishay Siliconix
IRFUC20PBF
Vishay Siliconix
SIHU3N50D-GE3
Vishay Siliconix
SIHU5N50D-GE3
Vishay Siliconix
IRLU014
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation