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Vishay Siliconix SIRA20DP-T1-RE3

Numéro de pièce MFG
SIRA20DP-T1-RE3
quantité disponible
86400 Pièces
Prix de référence
USD 0.59696
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIRA20DP-T1-RE3.pdf
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SIRA20DP-T1-RE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIRA20DP-T1-RE3
Numéro de pièce future FT-SIRA20DP-T1-RE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SIRA20DP-T1-RE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 81.7A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.58 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
Vgs (Max) +16V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10850pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse PowerPAK® SO-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIRA20DP-T1-RE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIRA20DP-T1-RE3-FT

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