maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIR826DP-T1-RE3
Vishay Siliconix SIR826DP-T1-RE3
- Numéro de pièce MFG
- SIR826DP-T1-RE3
- quantité disponible
- 80170 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.894448
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- TrenchFET® MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIR826DP-T1-RE3.pdf
SIR826DP-T1-RE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIR826DP-T1-RE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIR826DP-T1-RE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | TrenchFET® |
| SIR826DP-T1-RE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 40V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
| Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIR826DP-T1-RE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIR826DP-T1-RE3-FT |
Comment commander?
Demande d'offre - Confirmer le prix - Commande - Paiement - Envoi - Faitméthodes de livraison
1) DHL (1-3 days)2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcul du fret: veuillez nous contacter
Comment contacter?
Notre Email: [email protected]méthodes de payement
1) Bank Transfer (Wire Transfer)2) Paypal (Credit Card)
3) Western Union
4) MoneyGram
5) Others
Composants associés dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simple
RJK2057DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2555DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK2557DPA-WS#J0
Renesas Electronics America
RJK4006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK4532DPD-E0#J2
Renesas Electronics America
RJK5006DPD-WS#J2
Renesas Electronics America
RJK5015DPK-00#T0
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-01#J2
Renesas Electronics America
RJK5030DPD-02#J2
Renesas Electronics America
RJK5031DPD-01#J2
Renesas Electronics America
Composants de vente à chaud
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
5SGXMA3K3F40C2N
Intel
EP3SE260F1517C2N
Intel
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel