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Vishay Siliconix SIHFS9N60A-GE3

Name: SIHFS9N60A-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHFS9N60A-GE3
Price: 0.88172 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (345 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIHFS9N60A-GE3

quantité disponible: 96350 Pièces

Prix de référence: USD 0.88172

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIHFS9N60A-GE3.pdf

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SIHFS9N60A-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIHFS9N60A-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIHFS9N60A-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SIHFS9N60A-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	170W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHFS9N60A-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIHFS9N60A-GE3-FT

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