maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SIHB24N65ET5-GE3
Référence fabricant | SIHB24N65ET5-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIHB24N65ET5-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | E |
SIHB24N65ET5-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2740pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHB24N65ET5-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIHB24N65ET5-GE3-FT |
IRFBC30S
Vishay Siliconix
IRFBC30STRL
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XCVU080-2FFVD1517E
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MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
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5SGXMA7N3F45I3LN
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XC2VP7-7FF672C
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XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
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