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Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3
- Numéro de pièce MFG
- SIHB12N65E-GE3
- quantité disponible
- 90030 Pièces
- Prix de référence
- USD 2.656
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Vishay Siliconix
- Brève description
- - MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- SIHB12N65E-GE3.pdf
SIHB12N65E-GE3 Caractéristiques
| Référence fabricant | SIHB12N65E-GE3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-SIHB12N65E-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| SIHB12N65E-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1224pF @ 100V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | D²PAK (TO-263) |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIHB12N65E-GE3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | SIHB12N65E-GE3-FT |
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