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Vishay Siliconix SIHB12N60E-GE3

Name: SIHB12N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB12N60E-GE3
Price: 1.824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (201 reviews)

Numéro de pièce MFG: SIHB12N60E-GE3

quantité disponible: 61000 Pièces

Prix de référence: USD 1.824

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: - MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SIHB12N60E-GE3.pdf

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SIHB12N60E-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SIHB12N60E-GE3
Numéro de pièce future	FT-SIHB12N60E-GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
SIHB12N60E-GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	937pF @ 100V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	147W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHB12N60E-GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SIHB12N60E-GE3-FT

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