maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / SIGC158T120R3LEX1SA2
Référence fabricant | SIGC158T120R3LEX1SA2 |
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Numéro de pièce future | FT-SIGC158T120R3LEX1SA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIGC158T120R3LEX1SA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 450A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 150A |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | - |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIGC158T120R3LEX1SA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIGC158T120R3LEX1SA2-FT |
IHY20N120R3XKSA1
Infineon Technologies
IHY20N135R3XKSA1
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IHY30N160R2XKSA1
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IKFW50N60ETXKSA1
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IKFW75N60ETXKSA1
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IKFW90N60EH3XKSA1
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IRG4BAC50W-S
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IRG4BAC50W-SPBF
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IRG4CC50UB
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IRG4RC10SDTRPBFBTMA1
Infineon Technologies
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
EP2C5F256I8N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
XC7S15-1CSGA225C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176M
Microsemi Corporation
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
A54SX08-1FGG144I
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel