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Référence fabricant | SIE806DF-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIE806DF-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SIE806DF-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 10-PolarPAK® (L) |
Paquet / caisse | 10-PolarPAK® (L) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIE806DF-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIE806DF-T1-GE3-FT |
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XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel