maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SIDC56D120F6X1SA1
Référence fabricant | SIDC56D120F6X1SA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIDC56D120F6X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIDC56D120F6X1SA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 75A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.1V @ 75A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 27µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC56D120F6X1SA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIDC56D120F6X1SA1-FT |
SE80PWGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE80PWJ-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE80PWJHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SF10AG-A
Diodes Incorporated
SF10AG-B
Diodes Incorporated
SF10BG-A
Diodes Incorporated
SF10BG-B
Diodes Incorporated
SF10CG-A
Diodes Incorporated
SF10CG-B
Diodes Incorporated
SF10DG-A
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel