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Infineon Technologies SIDC24D30SIC3

Numéro de pièce MFG
SIDC24D30SIC3
quantité disponible
38160 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- DIODE SILICON 300V 10A WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIDC24D30SIC3.pdf
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SIDC24D30SIC3 Caractéristiques

Référence fabricant SIDC24D30SIC3
Numéro de pièce future FT-SIDC24D30SIC3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SIDC24D30SIC3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de diode Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 300V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 10A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.7V @ 10A
La vitesse No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 200µA @ 300V
Capacité @ Vr, F 600pF @ 1V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDC24D30SIC3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIDC24D30SIC3-FT

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