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Référence fabricant | SIDC16D60SIC3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIDC16D60SIC3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIDC16D60SIC3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 170pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC16D60SIC3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIDC16D60SIC3-FT |
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Xilinx Inc.
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5SGXMB5R3F40I4N
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10AX066N2F40I1SG
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