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Référence fabricant | SIDC11D60SIC3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIDC11D60SIC3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIDC11D60SIC3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.9V @ 4A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 150pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC11D60SIC3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIDC11D60SIC3-FT |
SD233N45S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD233R36S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD241
Microsemi Corporation
SD24145
Microsemi Corporation
SD241HR2
Microsemi Corporation
SD453N16S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD453R16S20PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD453R20S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD500N30PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD500N45PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division