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Référence fabricant | SIDC09D60E6 UNSAWN |
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Numéro de pièce future | FT-SIDC09D60E6 UNSAWN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIDC09D60E6 UNSAWN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 20A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 150ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 27µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Sawn on foil |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIDC09D60E6 UNSAWN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIDC09D60E6 UNSAWN-FT |
SBRS5654T3G
ON Semiconductor
SBYV26C-5001M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD101BW-13-F
Diodes Incorporated
SD101CWS-13-F
Diodes Incorporated
SD103BW-7-F-36
Diodes Incorporated
SD233N36S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD233N45S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD233R36S50PSC
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD241
Microsemi Corporation
SD24145
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel