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SIDC01D120H6 Image

Infineon Technologies SIDC01D120H6

Numéro de pièce MFG
SIDC01D120H6
quantité disponible
85680 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- DIODE GEN PURP 1.2KV 600MA WAFER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIDC01D120H6.pdf
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SIDC01D120H6 Caractéristiques

Référence fabricant SIDC01D120H6
Numéro de pièce future FT-SIDC01D120H6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SIDC01D120H6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 600mA (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 1.6V @ 600mA
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 27µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse Die
Package d'appareils du fournisseur Sawn on foil
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIDC01D120H6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIDC01D120H6-FT

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