maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SICRD6650TR
Référence fabricant | SICRD6650TR |
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Numéro de pièce future | FT-SICRD6650TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SICRD6650TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 6A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 150pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRD6650TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SICRD6650TR-FT |
VS-8EWS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
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Lattice Semiconductor Corporation
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