maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SICRB6650TR
Référence fabricant | SICRB6650TR |
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Numéro de pièce future | FT-SICRB6650TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SICRB6650TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 6A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | 150pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRB6650TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SICRB6650TR-FT |
R9G00418XX
Powerex Inc.
R9G00422XX
Powerex Inc.
R9G00612XX
Powerex Inc.
R9G00618XX
Powerex Inc.
R9G00622XX
Powerex Inc.
R9G00812XX
Powerex Inc.
R9G00818XX
Powerex Inc.
R9G00822XX
Powerex Inc.
R9G01012XX
Powerex Inc.
R9G01018XX
Powerex Inc.
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
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Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel