maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SICRB5650TR
Référence fabricant | SICRB5650TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SICRB5650TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SICRB5650TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 650V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 60µA @ 650V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRB5650TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SICRB5650TR-FT |
R9G00412XX
Powerex Inc.
R9G00418XX
Powerex Inc.
R9G00422XX
Powerex Inc.
R9G00612XX
Powerex Inc.
R9G00618XX
Powerex Inc.
R9G00622XX
Powerex Inc.
R9G00812XX
Powerex Inc.
R9G00818XX
Powerex Inc.
R9G00822XX
Powerex Inc.
R9G01012XX
Powerex Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.