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Vishay Siliconix SIA915DJ-T4-GE3

Numéro de pièce MFG
SIA915DJ-T4-GE3
quantité disponible
82000 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 30V SC70-6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SIA915DJ-T4-GE3.pdf
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SIA915DJ-T4-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SIA915DJ-T4-GE3
Numéro de pièce future FT-SIA915DJ-T4-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SIA915DJ-T4-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 87 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V
Puissance - Max 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIA915DJ-T4-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SIA915DJ-T4-GE3-FT

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