maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SIA907EDJ-T1-GE3
Référence fabricant | SIA907EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SIA907EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SIA907EDJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
Caractéristique FET | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA907EDJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA907EDJ-T1-GE3-FT |
FW216A-TL-2WX
ON Semiconductor
FW217A-TL-2WX
ON Semiconductor
FW344A-TL-2WX
ON Semiconductor
FW389-TL-2WX
ON Semiconductor
GA100SCPL12-227E
GeneSiC Semiconductor
GMM3X100-01X1-SMD
IXYS
GMM3X100-01X1-SMDSAM
IXYS
GMM3X120-0075X2-SMDSAM
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMD
IXYS
GMM3X160-0055X2-SMDSAM
IXYS
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
A10V10B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3C25F256C6
Intel
5SGXMA3E1H29C2N
Intel
5SGXEA5N3F45C3N
Intel
EP4SGX290KF43C3
Intel
5SGXEA4H2F35I3L
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFE2-70E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation