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Référence fabricant | SIA446DJ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SIA446DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ThunderFET® |
SIA446DJ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 177 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquet / caisse | PowerPAK® SC-70-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA446DJ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SIA446DJ-T1-GE3-FT |
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ICE40UP5K-SG48I
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XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel