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Référence fabricant | SI8261BCD-C-IS |
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Numéro de pièce future | FT-SI8261BCD-C-IS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
SI8261BCD-C-IS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La technologie | Capacitive Coupling |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Immunité transitoire en mode commun (Min) | 35kV/µs |
Délai de propagation tpLH / tpHL (Max) | 60ns, 50ns |
Déformation de largeur d'impulsion (Max) | 28ns |
Temps de montée / descente (type) | 5.5ns, 8.5ns |
Courant - Sortie haut, bas | 500mA, 1.2A |
Courant - Sortie de crête | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 2.8V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 30mA |
Tension - Alimentation | 13.5V ~ 30V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SDIP Gull Wing |
Approbations | CQC, CSA, UR, VDE |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8261BCD-C-IS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI8261BCD-C-IS-FT |
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Microsemi Corporation
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XC5VSX35T-3FFG665C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
LFEC15E-5F484C
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10AX090S4F45E3SG
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