maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI7414DN-T1-E3
Référence fabricant | SI7414DN-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI7414DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI7414DN-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 8.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7414DN-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7414DN-T1-E3-FT |
SIHU6N62E-GE3
Vishay Siliconix
SIHU7N60E-E3
Vishay Siliconix
SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix
SQS401EN-T1_GE3
Vishay Siliconix
SIS410DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7119DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7619DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7625DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIS443DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel