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Référence fabricant | SI7111EDN-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI7111EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® Gen III |
SI7111EDN-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.55 mOhm @ 15A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 2.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5860pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 52W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7111EDN-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI7111EDN-T1-GE3-FT |
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EP3C40F484C7N
Intel
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
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