maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI6463BDQ-T1-E3
Référence fabricant | SI6463BDQ-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI6463BDQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI6463BDQ-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.05W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6463BDQ-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6463BDQ-T1-E3-FT |
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPB80N04S2L-03
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SPB80N06S08ATMA1
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SPB80N06S2-05
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SPB80N06S2-07
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SPB80N06S2-08
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SPB80N06S2-09
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SPB80N06S2-H5
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SPB80N06S2L-05
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EP20K100ETC144-1N
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LFXP3C-3T100I
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XC2S100-5PQ208I
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A3PE600-PQG208
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10AX027E4F29I3SG
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5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
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ICE40UL1K-CM36AITR
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LFXP15C-3FN256I
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LFE3-95EA-6LFN672C
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