maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI6433BDQ-T1-GE3
Référence fabricant | SI6433BDQ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI6433BDQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SI6433BDQ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.05W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6433BDQ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6433BDQ-T1-GE3-FT |
SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
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SPB80N03S2L-06 G
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SPB80N03S2L05T
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SPB80N03S2L06T
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SPB80N04S2-04
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SPB80N04S2-H4
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SPB80N06S08ATMA1
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A3P030-2QNG68I
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A1425A-1PQ100I
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A3P250L-VQG100I
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EP3CLS100F484C7
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EP2AGX125DF25C4N
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