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Référence fabricant | SI6410DQ-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI6410DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI6410DQ-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6410DQ-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI6410DQ-T1-GE3-FT |
SPB80N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04 G
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SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
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SPB80N03S2L-06 G
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SPB80N03S2L05T
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SPB80N03S2L06T
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SPB80N04S2-04
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel