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Référence fabricant | SI5519DU-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI5519DU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI5519DU-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
Puissance - Max | 10.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® ChipFet Dual |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5519DU-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI5519DU-T1-GE3-FT |
FDQ7236AS
ON Semiconductor
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XC7A50T-L2CSG325E
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LFE2-12E-7Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
APA750-PQG208
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EP4SGX230KF40C2
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10AX022E4F27I3SG
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5SGXEABK3H40C4N
Intel
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
10AX090H1F34E1SG
Intel
EPF10K130EBC356-1X
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EP4SGX290FF35I4
Intel