maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4833ADY-T1-E3
Référence fabricant | SI4833ADY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4833ADY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LITTLE FOOT® |
SI4833ADY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 3.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 750pF @ 15V |
Caractéristique FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipation de puissance (max) | 1.93W (Ta), 2.75W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4833ADY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4833ADY-T1-E3-FT |
SI4386DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4390DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4390DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4396DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4396DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4398DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4398DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4401DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4401DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4403BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel