maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4816DY-T1-GE3
Référence fabricant | SI4816DY-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI4816DY-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | LITTLE FOOT® |
SI4816DY-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.3A, 7.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 6.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1W, 1.25W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4816DY-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4816DY-T1-GE3-FT |
SH8K3TB1
Rohm Semiconductor
SI4532CDY-T1-GE3
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A3PN125-2VQG100I
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AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
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XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
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EP3C25F324I7
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EP20K200EQC208-2X
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