maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI4569DY-T1-E3
Référence fabricant | SI4569DY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4569DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4569DY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A, 7.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
Puissance - Max | 3.1W, 3.2W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4569DY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4569DY-T1-E3-FT |
SH8M3TB1
Rohm Semiconductor
SH8M41TB1
Rohm Semiconductor
SH8M5TB1
Rohm Semiconductor
SI4200DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4554DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4804CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4816BDY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4900DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4909DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4922BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX72A-PQG208M
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2N
Intel
5SGXMB9R2H43C2N
Intel
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34E3LG
Intel
EP2AGX125EF29C4
Intel
EP3C40F780C7
Intel