maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI4435BDY-T1-E3
Référence fabricant | SI4435BDY-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI4435BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI4435BDY-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4435BDY-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI4435BDY-T1-E3-FT |
RSS070N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS070P05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS075P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS075P03TB
Rohm Semiconductor
RSS080N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS085N05FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090N03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU6TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03FU7TB
Rohm Semiconductor
RSS090P03TB
Rohm Semiconductor
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel