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Vishay Siliconix SI4413DDY-T1-GE3

Numéro de pièce MFG
SI4413DDY-T1-GE3
quantité disponible
50000 Pièces
Prix de référence
USD 0.8242
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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SI4413DDY-T1-GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SI4413DDY-T1-GE3
Numéro de pièce future FT-SI4413DDY-T1-GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SI4413DDY-T1-GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C -
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Vgs (Max) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4780pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 125°C
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI4413DDY-T1-GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI4413DDY-T1-GE3-FT

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