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Vishay Siliconix SI3867DV-T1-E3

Name: SI3867DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3867DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 4.5 (415 reviews)

Numéro de pièce MFG: SI3867DV-T1-E3

quantité disponible: 38800 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SI3867DV-T1-E3.pdf

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SI3867DV-T1-E3 Caractéristiques

Référence fabricant	SI3867DV-T1-E3
Numéro de pièce future	FT-SI3867DV-T1-E3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchFET®
SI3867DV-T1-E3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	51 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-TSOP
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI3867DV-T1-E3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SI3867DV-T1-E3-FT

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