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Référence fabricant | SI3460DDV-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI3460DDV-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3460DDV-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.9A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 666pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3460DDV-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3460DDV-T1-GE3-FT |
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