maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI3458DV-T1-E3
Référence fabricant | SI3458DV-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI3458DV-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI3458DV-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI3458DV-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI3458DV-T1-E3-FT |
SI5475BDC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5475DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5475DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5499DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5499DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5853CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5853DDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5855CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5913DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5913DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel