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Vishay Siliconix SI2304BDS-T1-E3

Numéro de pièce MFG
SI2304BDS-T1-E3
quantité disponible
99170 Pièces
Prix de référence
USD 0.093608
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
TrenchFET® MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SI2304BDS-T1-E3.pdf
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SI2304BDS-T1-E3 Caractéristiques

Référence fabricant SI2304BDS-T1-E3
Numéro de pièce future FT-SI2304BDS-T1-E3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchFET®
SI2304BDS-T1-E3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 750mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI2304BDS-T1-E3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SI2304BDS-T1-E3-FT

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