maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1499DH-T1-E3
Référence fabricant | SI1499DH-T1-E3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1499DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1499DH-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 2.78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1499DH-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1499DH-T1-E3-FT |
SPA20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPA20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
TK12A80W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W5,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
TK35A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK42A12N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5A65W,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel