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Référence fabricant | SI1470DH-T1-E3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1470DH-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1470DH-T1-E3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1470DH-T1-E3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1470DH-T1-E3-FT |
APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
APT1204R7KFLLG
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APT12F60K
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APT4F120K
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APT4M120K
Microsemi Corporation
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APT6M100K
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APT7F80K
Microsemi Corporation
XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
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LCMXO3LF-6900C-6BG400C
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EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
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