maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SI1450DH-T1-GE3
Référence fabricant | SI1450DH-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1450DH-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1450DH-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.53A (Ta), 6.04A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.05nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 4V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.56W (Ta), 2.78W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-6 (SOT-363) |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1450DH-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1450DH-T1-GE3-FT |
2SK2544(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2866(F)
Toshiba Semiconductor and Storage
APT1003RKLLG
Microsemi Corporation
APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
APT1204R7KFLLG
Microsemi Corporation
APT12F60K
Microsemi Corporation
APT15F50K
Microsemi Corporation
APT30N60KC6
Microsemi Corporation
APT4F120K
Microsemi Corporation
APT4M120K
Microsemi Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel