maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / SI1034X-T1-GE3
Référence fabricant | SI1034X-T1-GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SI1034X-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1034X-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 250mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1034X-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1034X-T1-GE3-FT |
SIA911ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA911DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA911DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA911EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA912DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA913DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA914ADJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA914DJ-T1-E3
Vishay Siliconix
SIA914DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIA915DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FGG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-LCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL010ZE144I8G
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
10AX057K4F35E3LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel