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Référence fabricant | SI1022R-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SI1022R-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SI1022R-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 330mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.25 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 250mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75A |
Paquet / caisse | SC-75A |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI1022R-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SI1022R-T1-GE3-FT |
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel