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SGB15N120ATMA1 Image

Infineon Technologies SGB15N120ATMA1

Numéro de pièce MFG
SGB15N120ATMA1
quantité disponible
37090 Pièces
Prix de référence
USD 2.335304
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SGB15N120ATMA1.pdf
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SGB15N120ATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant SGB15N120ATMA1
Numéro de pièce future FT-SGB15N120ATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
SGB15N120ATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT NPT
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 52A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 15A
Puissance - Max 198W
Énergie de commutation 1.9mJ
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 130nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 18ns/580ns
Condition de test 800V, 15A, 33 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SGB15N120ATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SGB15N120ATMA1-FT

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