maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / SG2803J-883B
Référence fabricant | SG2803J-883B |
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Numéro de pièce future | FT-SG2803J-883B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SG2803J-883B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 8 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | 18-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SG2803J-883B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SG2803J-883B-FT |
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LAE5UM-25F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EF672C1NGZ
Intel
EP2C5F256C7
Intel
EPF10K50EFC256-1
Intel
XC2VP30-6FF1152C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG676I
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A42MX16-FPQ160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8LFN1156I
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LFE2M100SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1N
Intel