maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / SG2013J-883B
Référence fabricant | SG2013J-883B |
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Numéro de pièce future | FT-SG2013J-883B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SG2013J-883B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 7 NPN Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 600mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.9V @ 600µA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 900 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | 16-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SG2013J-883B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SG2013J-883B-FT |
STA303A
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STA301A
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SLA6023
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AT40K05LV-3BQI
Microchip Technology
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-2X
Intel
5CGXFC7B6M15C6N
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
A42MX24-1TQ176I
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C1N
Intel